期刊：Ieee T Electron Dev
| 期刊ISSN | 0018-9383 |
| 期刊全称 | Ieee Transactions On Electron Devices |
| 期刊缩写 | Ieee T Electron Dev |
| 影响因子 | 2.605 |
| 自 引 率 | 18.30% |
| SCI 收录情况 | SCI收录; SCIE收录; |
| ESI 学科分类 | 工程科学（Engineering） |
| 中科院大类分区 | 工程技术：2区 |
| 中科院小类分区 | 工程：电子与电气 3区 物理：应用 3区 |
| 是否Top期刊 | 否 |
| 是否综述期刊 | 否 |
| 官方网站 | http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=16 |
| 投稿网站 | https://mc.manuscriptcentral.com/ted |
| 通讯地址 | Ieee-inst Electrical Electronics Engineers Inc, 445 Hoes Lane, Piscataway, Usa, Nj, 08855-4141 |
| 所属国家 | United States |
| 出版周期 | Monthly |
| 创办年份 | 0年 |
| 年文章数 | 737 |
| 是否开放访问 | 不开放访问 |
| PubMed链接 | http://www.ncbi.nlm.nih.gov/nlmcatalog?term=0018-9383%5BISSN%5D |
| 平均审稿速度 | 网友分享经验：平均4.7个月 |
| 平均录用比例 | 网友分享经验：较易 |
| 历年影响因子 |